SiC）MOSFET 是根据宽禁带半导体资料碳化硅（SiC）制作的金属氧化物半导体场效应晶体管，相较于传统硅（Si）MOSFET，具有更高的击穿电压、更低的导通电阻、更快的开关速度以及更优异的高温文高频功能。
事例简介：SiC MOSFET 的动态测验可用于获取器材的开关速度、开关损耗等要害动态参数，然后协助工程师优化芯片规划和封装。但是，因为 SiC MOSFET 具有极快的开关特性，测验过程中对丈量体系的寄生参数提出了更加高的要求，寄生电感、电容等要素或许会影响测验精度，需加以优化和操控。
测验难点：一般无源探头和惯例差分电压探头的寄生参数较大。因为SiC MOSFET具有极快的开关速度（高dv/dt），探头的寄生电感和寄生电容会与测验电路耦合，导致测得的电压信号呈现显着振动或过冲。一起，探头的寄生电容或许引进位移电流，使被测电流信号叠加额定的寄生电流，影响丈量精确性。
为保证丈量精度，漏源电压和栅极电压采用光阻隔电压探头（Micsig MOIP200P）做丈量，该探头具有200 MHz带宽、180dB的高共模按捺比，且寄生电容仅1pF，大大下降丈量误差。漏源电流则运用钳式电流探头（Hioki 3276），其100MHz带宽可满意测验要求。此外，为保证丈量同步性，电压与电流探头均经过校准电路进行时刻对齐。
图中的波形从上往下依次为栅极电压Vgs、漏源电压Vds和漏源电流Ids。在测验过程中，SiC MOSFET 具有极快的开关速度，可在十几纳秒内完结开关转化。但是，因为高速开关过程中发生的电磁搅扰（EMI），丈量成果或许受到影响。
光阻隔探头凭仗其高共模按捺比，可以精确捕捉信号细节，即便在高搅扰环境下仍能供给明晰、牢靠的波形数据。此外，光阻隔探头的超低寄生参数不会额定引发波形振动，测验中观察到的振动主要由功率回路的寄生电感引起，归于正常现象。经过比照电压和电流波形的时序联系可以精确的看出，测得的开关电流中几乎不包括额定的寄生电流，这得益于光阻隔探头低至1 pF 的寄生电容，大幅度下降了丈量误差，保证了测验成果的精确性。
在SiC MOSFET的纳秒级开关动态测验中，探头180dB的共模按捺比有用按捺了高频EMI搅扰，测得栅极电压（Vgs）与漏源电压（Vds）波形无畸变，与理论仿线pF的寄生电容使丈量体系引进的额定电流误差可疏忽，明显优于传统差分探头，为开关损耗核算供给了牢靠数据根底。
一般差分/无源探头的高寄生电容（一般10~50pF）导致位移电流叠加，损坏电流信号实在性；高寄生电感引发电压振动，掩盖实在开关波形。
传统探头CMRR低（典型值60dB），易受SiC MOSFET高速开关发生的高频EMI影响，形成波形畸变，严重者会导致炸管。
1pF寄生电容几乎不引进位移电流，180dB CMRR有用按捺共模噪声，保证纳秒级信号的实在捕捉。
经过光纤传输信号，完全阻隔地环路搅扰，处理传统探头因地电位差导致的信号失真问题。
光阻隔探头在SiC MOSFET测验中的运用不只处理了单点丈量难题，更经过高精度数据链打通了“芯片规划-封装-体系运用”全环节，成为宽禁带半导体工业晋级的要害使能技能。其价值已逾越传统测验东西领域，向职业根底设施演进，为电力电子从“硅年代”迈向“碳化硅年代”供给底层支撑。
