,兼容18V栅压驱动,合作TO-247-4L Plus封装,有力提高了国产碳化硅器材的功能。新产品瞄准等亟需高压大电流与低损耗的功率半导体开关使用,助力新能源范畴快速更新换代,为国家“碳达峰、碳中和”方针的完结做出奉献。
昕感新品选用超卓的TO-247-4LPlus封装,具有开尔文源极和低热阻等优势,可以显着下降开关损耗及震动,提高器材散热体现。
昕感新品作业电流可达300A以上,具有正温度系数,可便利完结大电流并联。一起,昕感新品的漏电流极低(1μA@1200V),具有优胜的高压阻断特性。
昕感新品已完结一系列动态测验和可靠性查核(HTRB、pHTGB、nHTGB、H3TRB等),在不同条件下正常动态开关。
除TO-247-4L Plus等单管封装外,昕感1200V/7mΩ SiC MOSFET芯片也可封装进定制化功率模块,便于广泛完结其在汽车主驱等新能源范畴中的使用。
昕感科技聚集于第三代半导体碳化硅功率器材和功率模块的技能打破创新和产品研制出产,致力于成为国内抢先和具有世界影响力的功率半导体革新引领者。昕感科学技能具有从器材到模块再到使用的全流程高度定制化技能才能,可以匹配各范畴客户的实在需求,协助客户快速树立差异化竞赛优势。
昕感科技已在650V、1200V、1700V等电压平台上完结数十款碳化硅器材和模块产品量产。其间,1200V SiC MOSFET产品具有80mΩ、40mΩ、21mΩ直至7mΩ等导通电阻标准,模块产品对标EasyPACK、62mm、EconoDUAL等封装方式。1200V/80mΩ SiC MOSFET已经过AEC-Q101车规级可靠性认证,也标志着在此工艺平台上开发的多款更低导通电阻器材到达车规级可靠性水平。